MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
225-0671
Nº ref. fabric.:
STD9N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

76W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La nueva tecnología MDmesh M6 de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes de la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Pérdidas de conmutación reducidas

Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior

Baja resistencia de entrada de puerta

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

584

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