MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.137,50 €

(exc. IVA)

1.377,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,455 €1.137,50 €

*precio indicativo

Código RS:
193-5388
Nº ref. fabric.:
STD5N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STD5N

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.55Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.2mm

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación muy baja (Qrr) y tiempo (trr) combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Baja resistencia

Capacidad de dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

Enlaces relacionados