MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD5N60DM2, VDSS 600 V, ID 3.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 193-5390
- Nº ref. fabric.:
- STD5N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 193-5390
- Nº ref. fabric.:
- STD5N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STD5N | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.55Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STD5N | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.55Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación muy baja (Qrr) y tiempo (trr) combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja
Baja resistencia
Capacidad de dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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