MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD9N60M6, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 225-0672
- Nº ref. fabric.:
- STD9N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0672
- Nº ref. fabric.:
- STD9N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 750mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 750mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La nueva tecnología MDmesh M6 de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes de la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para lograr la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Pérdidas de conmutación reducidas
Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior
Baja resistencia de entrada de puerta
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
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