MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8285
- Nº ref. fabric.:
- STD11N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 188-8285
- Nº ref. fabric.:
- STD11N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 420mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 2.17mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 420mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 2.17mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
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