MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
188-8285
Nº ref. fabric.:
STD11N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

420mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.6mm

Altura

2.17mm

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

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