MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 34 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-6701
Nº ref. fabric.:: IPP320N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 34 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

384 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,981 €

(exc. IVA)

2,397 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,981 €	99,05 €
100 +	1,862 €	93,10 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-6701
Nº ref. fabric.:: IPP320N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	32 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	136 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.57mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.36mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	15.95mm