MOSFET Infineon SPW35N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 752-8502
- Nº ref. fabric.:
- SPW35N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Añadido
Precio Unidad
10,28 €
(exc. IVA)
12,44 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 4 | 10,28 € |
| 5 - 9 | 9,77 € |
| 10 - 24 | 9,35 € |
| 25 - 49 | 8,94 € |
| 50 + | 8,33 € |
- Código RS:
- 752-8502
- Nº ref. fabric.:
- SPW35N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 34 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Serie | CoolMOS C3 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.9V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 313 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 5.21mm |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 16.13mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 150 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 21.1mm |
- Código RS:
- 752-8502
- Nº ref. fabric.:
- SPW35N60C3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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