MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
165-6893
Nº ref. fabric.:
BSC160N10NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.35 mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.35mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 42 A, disipación de potencia máxima de 60 W - BSC160N10NS3GATMA1


Este MOSFET está diseñado para ofrecer eficiencia y durabilidad en una gran variedad de aplicaciones. Sirve como componente fundamental en los sistemas de gestión de potencia, destacando en aplicaciones de conmutación, lo que lo hace idóneo para los sectores de automatización y eléctrico. Sus impresionantes características, como la alta corriente de drenaje continua y la baja resistencia en estado encendido, optimizan el rendimiento en diversos entornos, garantizando la resistencia y la eficiencia.

Características y ventajas


• Admite una corriente de drenaje continua de 42 A para tareas de alta potencia

• Funciona a una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para una amplia gama de aplicaciones

• Presenta una baja resistencia en estado encendido de 33mΩ, lo que mejora la eficiencia energética

• Diseñado con una configuración de montaje en superficie para una integración sencilla en el circuito

• Funciona en entornos de alta temperatura, hasta +150°C

• Utiliza una configuración de un solo canal N para mejorar la estabilidad

Aplicaciones


• Utilizados en fuentes de alimentación y convertidores para una gestión eficaz de la energía

• Adecuado para que requieren dispositivos de alimentación compactos y eficientes

• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar los tiempos de respuesta

• Ideal para sistemas de telecomunicaciones que necesitan una gran potencia

• De aplicación común en sistemas de energías renovables para una conversión eficiente de la energía

¿Cuáles son los límites térmicos para el funcionamiento de este dispositivo?


El dispositivo funciona en un rango de temperaturas de -55°C a +150°C, adecuado para diversas condiciones ambientales.

¿Cómo puede beneficiar la baja resistencia de estado activado al diseño de mi circuito?


La baja resistencia en estado encendido reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia de su circuito y disminuyendo la generación de calor.

¿Existe algún método de montaje específico para este MOSFET?


Este MOSFET presenta un diseño de montaje en superficie que facilita su integración en placas de circuitos impresos.

¿Se puede utilizar este MOSFET para aplicaciones pulsadas?


Sí, puede admitir corrientes pulsadas de hasta 168 A, lo que la hace apta para aplicaciones con cargas transitorias.

¿Qué medidas de seguridad debo tener en cuenta durante la instalación?


Es importante gestionar la tensión puerta-fuente dentro del rango especificado de -20 V a +20 V para evitar daños, al tiempo que se garantiza el cumplimiento de los valores nominales de resistencia térmica para un rendimiento óptimo.

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