MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 165-6893
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-6893
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 42 A, disipación de potencia máxima de 60 W - BSC160N10NS3GATMA1
Este MOSFET está diseñado para ofrecer eficiencia y durabilidad en una gran variedad de aplicaciones. Sirve como componente fundamental en los sistemas de gestión de potencia, destacando en aplicaciones de conmutación, lo que lo hace idóneo para los sectores de automatización y eléctrico. Sus impresionantes características, como la alta corriente de drenaje continua y la baja resistencia en estado encendido, optimizan el rendimiento en diversos entornos, garantizando la resistencia y la eficiencia.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua de 42 A para tareas de alta potencia
• Funciona a una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para una amplia gama de aplicaciones
• Presenta una baja resistencia en estado encendido de 33mΩ, lo que mejora la eficiencia energética
• Diseñado con una configuración de montaje en superficie para una integración sencilla en el circuito
• Funciona en entornos de alta temperatura, hasta +150°C
• Utiliza una configuración de un solo canal N para mejorar la estabilidad
Aplicaciones
• Utilizados en fuentes de alimentación y convertidores para una gestión eficaz de la energía
• Adecuado para que requieren dispositivos de alimentación compactos y eficientes
• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar los tiempos de respuesta
• Ideal para sistemas de telecomunicaciones que necesitan una gran potencia
• De aplicación común en sistemas de energías renovables para una conversión eficiente de la energía
¿Cuáles son los límites térmicos para el funcionamiento de este dispositivo?
El dispositivo funciona en un rango de temperaturas de -55°C a +150°C, adecuado para diversas condiciones ambientales.
¿Cómo puede beneficiar la baja resistencia de estado activado al diseño de mi circuito?
La baja resistencia en estado encendido reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia de su circuito y disminuyendo la generación de calor.
¿Existe algún método de montaje específico para este MOSFET?
Este MOSFET presenta un diseño de montaje en superficie que facilita su integración en placas de circuitos impresos.
¿Se puede utilizar este MOSFET para aplicaciones pulsadas?
Sí, puede admitir corrientes pulsadas de hasta 168 A, lo que la hace apta para aplicaciones con cargas transitorias.
¿Qué medidas de seguridad debo tener en cuenta durante la instalación?
Es importante gestionar la tensión puerta-fuente dentro del rango especificado de -20 V a +20 V para evitar daños, al tiempo que se garantiza el cumplimiento de los valores nominales de resistencia térmica para un rendimiento óptimo.
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