MOSFET Infineon BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 825-9250
Nº ref. fabric.:: BSC160N10NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC160N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 42 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

20020 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,555 €

(exc. IVA)

0,672 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,555 €	5,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 825-9250
Nº ref. fabric.:: BSC160N10NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Transistor de potencia OptiMOS 3

Los MOSFET de potencia OptiMOSTM de 100 V de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito).

Resumen de las características

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más baja del mundo

Q g y Q gd muy bajos

Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)

Conforme a RoHS, sin halógenos

Calificación MSL1 2

Ventajas

Respetuoso con el medio ambiente

Mayor eficiencia

Máxima densidad de potencia

Requiere menos conexión en paralelo

Consumo de espacio en placa más bajo

Productos de fácil diseño

Aplicaciones potenciales

Rectificación síncrona para SMPS ac-dc

Control de motor para sistemas de 48 V-80 V (como vehículos domésticos, herramientas eléctricas, camiones)

Convertidores dc-dc aislados (telecomunicaciones y sistemas de comunicación de datos

Interruptores OR-ing y disyuntores en sistemas de 48 V

Amplificadores de audio de clase D

Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	33 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	60 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Longitud	5.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C