MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 20.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
165-7274
Nº ref. fabric.:
SI4124DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

5.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Altura

1.55mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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