MOSFET Vishay SI4124DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3195
Nº ref. fabric.:: SI4124DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI4124DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

2230 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,508 €

(exc. IVA)

1,825 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,508 €	15,08 €
50 - 90	1,418 €	14,18 €
100 - 240	1,282 €	12,82 €
250 - 490	1,206 €	12,06 €
500 +	1,131 €	11,31 €

*precio indicativo

Código RS:: 812-3195
Nº ref. fabric.:: SI4124DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	5,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	51 nC a 10 V
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.55mm