MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4154DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 180-7965
Nº ref. fabric.:: SI4154DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4154DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 180-7965
Nº ref. fabric.:: SI4154DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	32.5nC
	Tensión directa Vf	1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 36A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32.5nC
	Tensión directa Vf 1.1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 3,3mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 7,8W mW y una corriente de drenaje continua de 36A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• POL

• Rectificador síncrono

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21