MOSFET, N-Canal Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 812-3205
- Nº ref. fabric.:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,534 € | 10,68 € |
| 200 - 480 | 0,427 € | 8,54 € |
| 500 - 980 | 0,401 € | 8,02 € |
| 1000 - 1980 | 0,348 € | 6,96 € |
| 2000 + | 0,289 € | 5,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3205
- Nº ref. fabric.:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4178DY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25V, +25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.55mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4178DY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25V, +25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.55mm | ||
Anchura 4mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie Si4178DY de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SI4178DY-T1-GE3
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos compactos. Ofrece un manejo de tensión moderado y una alta capacidad de corriente continua, adecuado para aplicaciones en las que se requiere una conmutación eficiente de alta corriente y resistencia térmica. El componente cumple la directiva RoHS y está diseñado para montaje a nivel de placa en diseños industriales y comerciales.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 30 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente continua de 12 A admite el control de cargas de alta corriente
• La Rds(on) de 33 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 7.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia de 5 W ayuda a gestionar la carga térmica en encapsulados pequeños
• La corriente continua de 12 A admite el control de cargas de alta corriente
• La Rds(on) de 33 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 7.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia de 5 W ayuda a gestionar la carga térmica en encapsulados pequeños
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Ideal para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Se utiliza con controladores de motor para actuadores compactos
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Ideal para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Se utiliza con controladores de motor para actuadores compactos
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
El dispositivo acepta hasta 25 V entre la puerta y la fuente, por lo que los controladores de puerta deben permanecer dentro de este límite para evitar la tensión de óxido de puerta.
¿Cómo influye el rendimiento térmico en las decisiones de diseño de PCB?
Con un valor nominal de disipación de 5 W, los diseñadores deben proporcionar un área de cobre adecuada y vias térmicas por debajo de la huella SOIC para mejorar la propagación del calor y mantener la temperatura de unión dentro de los límites.
¿En qué intervalo de temperatura ambiente puede funcionar?
Funciona de manera fiable desde -55 °C hasta 150 °C, lo que informa la selección para aplicaciones expuestas a amplios extremos térmicos.
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado y el montaje afectan al montaje?
La pieza se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOIC-8 con una altura de perfil total de 1,55 mm, por lo que el diseño de la plantilla y el volumen de la pasta de soldadura deben ajustarse para obtener juntas de soldadura uniformes.
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