MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 812-3205
- Nº ref. fabric.:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,438 € | 8,76 € |
| 200 - 480 | 0,351 € | 7,02 € |
| 500 - 980 | 0,329 € | 6,58 € |
| 1000 - 1980 | 0,285 € | 5,70 € |
| 2000 + | 0,237 € | 4,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3205
- Nº ref. fabric.:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4178DY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4178DY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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