MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
812-3205
Nº ref. fabric.:
SI4178DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si4178DY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

0.85V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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