MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4850EY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 787-9014
- Nº ref. fabric.:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 50 - 120 | 1,918 € | 9,59 € |
| 125 - 245 | 1,668 € | 8,34 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 787-9014
- Nº ref. fabric.:
- SI4850EY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4850EY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 47mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4850EY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 47mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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