MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 8.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
919-4191
Nº ref. fabric.:
SI4850EY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

Si4850EY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

47mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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