MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 25 V, ID 12.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
919-0272
Nº ref. fabric.:
SI4116DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si4116DY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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