MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
170-8409
Nº ref. fabric.:
SQ4850EY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

47mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.8W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.55mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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