MOSFET, N-Canal Vishay SI4848DY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 2.7 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
146-4444
Nº ref. fabric.:
SI4848DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

Si4848DY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.55mm

Estándar de automoción

No

Libre de halógenos

MOSFET de potencia TrenchFET®

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