MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 19 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-2752
- Nº ref. fabric.:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-2752
- Nº ref. fabric.:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.012Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21) | |
| Altura | 1.55mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.012Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21) | ||
Altura 1.55mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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