MOSFET Vishay SI4056DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,1 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4227
Nº ref. fabric.:: SI4056DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI4056DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,1 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,328 €

(exc. IVA)

0,397 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,328 €	820,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4227
Nº ref. fabric.:: SI4056DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: TW

Datos del Producto

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	ThunderFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	31 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	5,7 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19,6 nC a 10 V
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm