Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 710-3311
Nº ref. fabric.:: SI4128DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 710-3311
Nº ref. fabric.:: SI4128DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	10.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.03Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 10.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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