MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
787-9235
Nº ref. fabric.:
SI4190ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

Si4190ADY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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