Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 710-3320
Nº ref. fabric.:: Si4134DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 710-3320
Nº ref. fabric.:: Si4134DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si4134DY
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.014Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si4134DY
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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