Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 710-3320
Nº ref. fabric.:: Si4134DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

7,00 €

(exc. IVA)

8,50 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 4080 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	0,70 €	7,00 €
100 - 240	0,658 €	6,58 €
250 - 490	0,595 €	5,95 €
500 - 990	0,562 €	5,62 €
1000 +	0,524 €	5,24 €

*precio indicativo

Código RS:: 710-3320
Nº ref. fabric.:: Si4134DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si4134DY
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.014Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si4134DY
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Enlaces relacionados