MOSFET, N-Canal Vishay SI4056DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

6,30 €

(exc. IVA)

7,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 175 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +1,26 €6,30 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9137
Nº ref. fabric.:
SI4056DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

ThunderFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

5.7W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.