MOSFET, N-Canal Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines

No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
919-4233
Nº ref. fabric.:
SI4190ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

Si4190ADY

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.