MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 19 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
710-4736
Nº ref. fabric.:
SI4840BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.012Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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