Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ4850EY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 819-3923
Nº ref. fabric.:: SQ4850EY-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ4850EY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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200 - 480	0,931 €	18,62 €
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Código RS:: 819-3923
Nº ref. fabric.:: SQ4850EY-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	47mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	6.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.55mm
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 47mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 6.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.55mm
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101