MOSFET Infineon IRLR8726PBF, VDSS 30 V, ID 86 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-7562
Nº ref. fabric.:: IRLR8726PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR8726PBF, VDSS 30 V, ID 86 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 165-7562
Nº ref. fabric.:: IRLR8726PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MX

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	86 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.35V
Disipación de Potencia Máxima	75 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 4,5 V
Ancho	7.49mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1V
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Serie	HEXFET