MOSFET Infineon IRF630NSTRLPBF, VDSS 200 V, ID 9,3 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	82 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.67mm
Ancho	11.3mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	35 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.3V

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