MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15.2 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
906-4400
Nº ref. fabric.:
BSC900N20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.35 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


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