MOSFET Infineon BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15,2 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4400
Nº ref. fabric.:: BSC900N20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15,2 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 29/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,462 €

(exc. IVA)

1,769 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,462 €	14,62 €
50 - 90	1,389 €	13,89 €
100 - 240	1,331 €	13,31 €
250 - 490	1,271 €	12,71 €
500 +	0,804 €	8,04 €

*precio indicativo

Código RS:: 906-4400
Nº ref. fabric.:: BSC900N20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	15,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	90 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	62,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.35mm
Longitud	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm
Tensión de diodo directa	1.2V