MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 15.2 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
178-7500
Nº ref. fabric.:
BSC900N20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.1mm

Altura

1.1mm

Anchura

5.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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