MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
170-2290
Nº ref. fabric.:
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

BSC12DN20NS3 G

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

5.35mm

Anchura

6.35 mm

Estándar de automoción

No

Los productos OptiMOS Infineon BSC12DN20NS3 G 200V son tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para accionamientos de motor dc.

Más alta eficacia

Máxima densidad de potencia

Consumo de espacio en placa más bajo

Requiere mínima conexión en paralelo de dispositivos

Mejora de costes del sistema

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