MOSFET Infineon BSC22DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 7 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 825-9146
Nº ref. fabric.:: BSC22DN20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC22DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 7 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

1,059 €

(exc. IVA)

1,281 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	1,059 €	21,18 €
100 - 180	0,689 €	13,78 €
200 - 480	0,636 €	12,72 €
500 - 980	0,594 €	11,88 €
1000 +	0,551 €	11,02 €

*precio indicativo

Código RS:: 825-9146
Nº ref. fabric.:: BSC22DN20NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	225 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	34 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	5.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,2 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	6.35mm
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C