MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

11,28 €

(exc. IVA)

13,65 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 05 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 401,128 €11,28 €
50 - 901,072 €10,72 €
100 - 2400,964 €9,64 €
250 - 4900,867 €8,67 €
500 +0,826 €8,26 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
171-1952
Nº ref. fabric.:
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

BSC12DN20NS3 G

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.35mm

Anchura

6.35 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Los productos OptiMOS Infineon BSC12DN20NS3 G 200V son tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para accionamientos de motor dc.

Más alta eficacia

Máxima densidad de potencia

Consumo de espacio en placa más bajo

Requiere mínima conexión en paralelo de dispositivos

Mejora de costes del sistema

Enlaces relacionados