MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 870 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-0609
- Nº ref. fabric.:
- PMGD280UN,115
- Fabricante:
- Nexperia
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
258,00 €
(exc. IVA)
312,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,086 € | 258,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-0609
- Nº ref. fabric.:
- PMGD280UN,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 870mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.89nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 870mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.89nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de canal N doble, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Enlaces relacionados
- MOSFET Nexperia115 ID 870 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Nexperia VDSS 60 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia VDSS 20 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia VDSS 60 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia VDSS 30 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia VDSS 50 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia115 ID 320 mA Mejora de 6 pines config. Aislado
- MOSFET Nexperia115 ID 300 mA Mejora de 6 pines config. Aislado