MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 350 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-8662
Nº ref. fabric.:
NX3008NBKS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

350mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Trench MOSFET

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

445mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TH

MOSFET de canal N doble, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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