MOSFET Nexperia PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 725-8394
Nº ref. fabric.:: PMGD290XN,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

5220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,304 €

(exc. IVA)

0,368 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 20	0,304 €	6,08 €
40 - 80	0,204 €	4,08 €
100 - 180	0,143 €	2,86 €
200 - 380	0,142 €	2,84 €
400 +	0,138 €	2,76 €

*precio indicativo

Código RS:: 725-8394
Nº ref. fabric.:: PMGD290XN,115
Fabricante:: Nexperia

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	860 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	350 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.5V
Disipación de Potencia Máxima	410 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Longitud	2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,72 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.35mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C