MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
725-8329
Nº ref. fabric.:
PMGD280UN,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

870mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

Trench MOSFET

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

340mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.89nC

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.35 mm

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal N doble, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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