Nº ref. fabric.

MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 725-8329
Nº ref. fabric.:: PMGD280UN,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PMGD280UN,115, VDSS 20 V, ID 870 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 725-8329
Nº ref. fabric.:: PMGD280UN,115
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	870mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-88
	Serie	Trench MOSFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	340mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.83V
	Disipación de potencia máxima Pd	400mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.89nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1mm
	Longitud	2.2mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 870mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-88
	Serie Trench MOSFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.83V
	Disipación de potencia máxima Pd 400mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.89nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1mm
	Longitud 2.2mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: MY

MOSFET de canal N doble, Nexperia

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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