MOSFET Infineon IRF6643TRPBF, VDSS 150 V, ID 35 A, DirectFET ISOMETRIC

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	DirectFET ISOMETRIC
Serie	DirectFET, HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	34,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	89 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	39 nC a 10 V
Ancho	5.05mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.35mm
Altura	0.59mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C

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