MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6648TRPBF, VDSS 60 V, ID 86 A, Mejora, MN de 4 pines

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Código RS:
130-0948
Nº ref. fabric.:
IRF6648TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Encapsulado

MN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.35mm

Altura

0.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.05 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon


El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.

La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas

Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.

La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad

Perfil bajo de sólo 0,7 mm

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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