MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD90N04S405ATMA1, VDSS 40 V, ID 86 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3053
Nº ref. fabric.:
IPD90N04S405ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2 integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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