MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 86 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
220-7495
Nº ref. fabric.:
IRFR3709ZTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39 mm

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS de Infineon se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.

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