MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFR3709ZTRLPBF, VDSS 30 V, ID 86 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7496
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,781 € | 15,62 € |
| 100 - 180 | 0,742 € | 14,84 € |
| 200 - 480 | 0,711 € | 14,22 € |
| 500 - 980 | 0,679 € | 13,58 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7496
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 86A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 86A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS de Infineon se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.
Calidad líder del sector
Baja RDS(ON) a 4,5 V VGS
Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza
Impedancia de puerta ultrabaja