MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 86 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2621
Nº ref. fabric.:
IRFR3709ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

86A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.39mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.37mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 30V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D-Pak.

RDS(on) muy baja a 4,5 V VGS

Impedancia de puerta ultrabaja

Tensión de avalancha completamente caracterizada

Y actual

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