MOSFET Infineon IRF6648TRPBF, VDSS 60 V, ID 86 A, DirectFET ISOMETRIC

Código RS:: 168-5958
Nº ref. fabric.:: IRF6648TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF6648TRPBF, VDSS 60 V, ID 86 A, DirectFET ISOMETRIC

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 24/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4800)

0,923 €

(exc. IVA)

1,117 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4800 +	0,923 €	4.430,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-5958
Nº ref. fabric.:: IRF6648TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon

El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.

La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
Perfil bajo de sólo 0,7 mm

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	86 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	DirectFET, HEXFET
Tipo de Encapsulado	DirectFET ISOMETRIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	89 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	36 nC a 10 V
Ancho	5.05mm
Altura	0.5mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C