MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 112 A, Mejora, DirectFET de 9 pines

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Código RS:
214-8964
Nº ref. fabric.:
AUIRL7736M2TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

112A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.05 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.74mm

Longitud

6.35mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para lograr un rendimiento excepcional en un encapsulado que tiene el tamaño de UN SO-8 o 5X6mm PQFN y perfil de solo 0,7 mm. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.

Tecnología de procesos avanzados

Nivel de lógica

Alta densidad de potencia

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