MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 375 A, Mejora, DirectFET de 15 pines
- Código RS:
- 165-8086
- Nº ref. fabric.:
- IRF7749L1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-8086
- Nº ref. fabric.:
- IRF7749L1TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 15 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 200nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 9.15mm | |
| Altura | 0.49mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 7.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 15 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 200nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 9.15mm | ||
Altura 0.49mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 7.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
Perfil bajo de sólo 0,7 mm
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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