MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7749L1TRPBF, VDSS 60 V, ID 375 A, Mejora, DirectFET de 15 pines

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Código RS:
907-5205
Nº ref. fabric.:
IRF7749L1TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

15

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

200nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

9.15mm

Altura

0.49mm

Anchura

7.1 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon


El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.

La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas

Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.

La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad

Perfil bajo de sólo 0,7 mm

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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