MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 68 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- Código RS:
- 215-2449
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7648M2TR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2449
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7648M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon Automotive DirectFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máximo 60V con una corriente de drenaje continuo máxima 68A en un encapsulado DirectFET M4. El AUIRF7648M2 combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET® de automoción con el Advanced DirectFET® packaging para lograr una carga de puerta baja, así como la menor resistencia de estado de conexión en un encapsulado que tiene el tamaño de UN PERFIL SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET® es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación. El encapsulado DirectFET® permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Optimizado para accionamiento de motor de automoción, dc-dc y otras aplicaciones de carga pesada
Baja RDS(on) para mejorar la eficiencia
Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad
Sin plomo, RoHS y sin halógenos
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