MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

Código RS:: 214-8949
Nº ref. fabric.:: AUIRF7675M2TR
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

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Código RS:: 214-8949
Nº ref. fabric.:: AUIRF7675M2TR
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	DirectFET
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	56mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	5.05 mm
	Longitud	6.35mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.74mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado DirectFET
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 5.05 mm
	Longitud 6.35mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.74mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - AUIRF7675M2TR

Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para producir una pieza de su clase para aplicaciones de amplificador de audio de automoción de clase D. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción. Estas características se combinan para convertir este MOSFET en un componente muy deseable en sistemas de amplificador de audio de clase D de automoción.

Tecnología de procesos avanzados

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

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